- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录443 > IRF3708STRLPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRF3708/S/LPbF
0.025
0.020
0.017
0.015
0.013
0.015
VGS = 4.5V
0.011
0.010
VGS = 10V
0.009
ID = 31A
0.005
0
50
100
150
200
250
300
0.007
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
ID , Drain Current ( A )
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
V GS
Q GS
Q G
Q GD
- DS
VGS
3mA
I G
D.U.T.
I D
+
V
V G
Charge
600
480
ID
TOP 10A
20.7A
BOTTOM 24.8A
Current Sampling Resistors
Fig 14a&b. Gate Charge Test Circuit
and Waveform
360
240
15V
V (BR)DSS
120
tp
VDS
L
DRIVER
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
- VDD
A
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
175
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 15c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IRF3709ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRF3710L
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
IRF3711ZCSTRLP
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF3711ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF4905STRR
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
IRF510STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF510
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
IRF520NSTRR
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF3708STRR
功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3708STRRHR
制造商:International Rectifier 功能描述:30V 62.000A D2PAK - Tape and Reel
IRF3708STRRPBF
功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709
功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709L
功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709LPBF
功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3709PBF
功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3709S
功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件